研究人员发明了宽带可调太赫兹吸收器

最近，由合肥物理科学研究院(HFIPS)高磁场实验室的盛志高教授带领的研究团队，与HFIPS和上海科技大学的合作者，共同发明了一种基于宽带可调谐太赫兹(THz)吸收器强相关的电子氧化物材料。

太赫兹吸收器已经在太赫兹波屏蔽，太赫兹成像和太赫兹灵敏热检测领域具有广泛的应用前景，吸引了许多研究人员的注意力。因此，需要不仅具有强吸收和宽带吸收带宽，而且具有可调谐特性的吸收器。

通过引入高度相关的电子氧化物材料作为功能层，该团队通过多层介电结构设计和光泵方法实现了这种高度相关的电子器件的宽带可调THz光谱特性。

所选的强相关电子材料VO 2是有源THz调制的极佳候选者，因为在TC = 340 K的绝缘体-金属转变过程中，电导率，介电常数以及光学特性发生了戏剧性的变化，这种转变可能是根据温度，电场和光进行调整。

通过利用光泵浦，在该多层结构器件中实现了超过74%的吸收调制深度。此外，在一定的泵浦注量下，实现了抗反射(反射接近于零)和反射太赫兹波的宽带π相移。

经过各种测试和分析，这项研究明确了这些有源THz多功能调制的物理起源。

郑重声明：本文版权归原作者所有，转载文章仅为传播更多信息之目的，如有侵权行为，请第一时间联系我们修改或删除，多谢。