通过强离子轰击提高内存性能

最近，研究人员开发了新技术，通过强离子轰击工艺显着提高了闪存的性能。该内存平台可以在单个设备中可靠地表达多个数据，使其适用于未来的神经形态计算以及增加内存容量。

POSTECH教授YoonyoungChung(电气工程系和半导体工程系)和博士。候选人SeongminPark(电气工程系)与三星电子联合研究，开发了一种通过故意产生缺陷来增加数据存储的闪存。

随着人工智能技术的进步，需要开发一种针对具有多级数据的神经网络进行优化的新型半导体器件。新材料和设备已被开发为神经形态设备，但与已广泛用作各种应用的存储设备的闪存相比，在耐用性、可扩展性和存储容量方面存在局限性。

为了克服这些问题，研究团队在数据存储层的沉积过程中实施了强大的等离子体轰击工艺，以在闪存设备中生成人工缺陷位点。研究人员证实，与传统闪存相比，产生的缺陷中可以存储更多的电子，从而大大增加了数据存储量。

当电子逐渐填充在产生许多缺陷的数据存储层中时，可以证明具有多级数据的存储器。本研究开发的多级闪存可以可靠地区分八个数据级别。

该研究的结果意义重大，因为它们可以最大限度地降低开发新半导体材料或结构的风险，同时显着推进闪存在人工智能应用中具有出色的性能和可扩展性。当应用于神经形态系统时，与传统设备相比，推理准确性和可靠性有望得到显着提高。

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