三星开始在先进的14纳米EUV节点上量产DDR5内存

三星已经正式开始量产其下一代DDR5内存，该内存将由该公司的14纳米EUV工艺节点制造。这种内存将为HPC和AI服务器提供两倍于DDR4内存的性能。

三星DDR5内存量产：14 nm EUV工艺节点，7200 Mbps速度，768 GB容量

据三星称，新的工艺节点将帮助三星的14纳米DDR5内存实现前所未有的整体速度提升。目前，14纳米EUV工艺的速度提高到7.2 Gbps，是DDR4 (3.2 Gbps)速度的两倍多。该公司告诉我们，它将通过基于24Gb DRAM IC的更密集选项，将其14纳米DDR5内存产品组合扩展到数据中心、超级计算机和企业服务器应用。这将使该公司能够将其DDR5内存从512 GB-1 TB容量扩展到768 GB和1.5 TB Dram容量。

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三星电子今天宣布，它已经开始大规模生产基于极紫外(EUV)技术的业界最小的14纳米(nm) DRAM。继该公司去年3月发运业界首款EUV DRAM之后，三星已将EUV层数增加至5层，以便为其DDR5解决方案提供最佳和最先进的DRAM技术。

三星新的五层EUV工艺可以实现业界最高的DRAM位密度，并将生产率提高约20%

三星电子高级副总裁兼DRAM产品和技术负责人Jooyoung Lee表示，“在过去的三年里，我们通过开拓关键的图案化技术创新，引领了DRAM市场。”“今天，三星通过多层EUV树立了另一个技术里程碑，实现了14纳米——的极端小型化，这是传统氟化氩(ArF)工艺无法实现的壮举。在这一进展的基础上，我们将继续提供最具差异化的内存解决方案，充分满足5G、AI和元宇宙等数据驱动世界对更高性能和容量的需求。

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